Zeevo ワンチップCMOS Bluetooth Chipの仕様を公開
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Zeevoでは、予てから製品化をアナウンスしてきたCMOSプロセスによるワンチップBluetooth
IC（TC2000）の製品仕様を公開した。
このICは、0.18μmのCMOSプロセスを採用、台湾のTSMCがファウンドリとなる。
ワンチップCMOSで先行するCSR同様、コーデックは備えていない。
TC2000の最大の特徴は、バンドパスフィルターとスイッチといった通常Module基板上に実装される部品を同一パッケージ内に収めていること。（外付部品は、antenna、cystal（12MHｚ）、decoupling
capacitors、reference resistor）
同社では、受動部品内蔵技術として注目を集めている“LTCC”（低温同時焼成セラミック）をパッケージに採用することで実現した。
パッケージサイズは、9.85 mm x 11.85 mmで、ピン数は65である。
TC2000は、2002年の第一四半期に発売が予定される三菱電機のGSMブランド“TRIUM”に採用されるとしている。
※詳細は同社ホームページを参照（http://www.zeevo.com）
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解説 |
LTCC（低温同時焼成セラミック）とは、アルミナ等の回路基板として使用されるセラミック材料にガラス系材料を加えることで、焼成温度を1000度以下に低温化する技術。
アルミナ等の従来の多層セラミック基板では使用できなかったAgやCuといった電気伝導度の高い導体材料の採用が可能となる。
このため、大容量のコンデンサや高機能なフィルタ等を基板内に作りこむことが容易で、ワイヤレスインターフェースのフロントエンド部の集積化を実現する技術として注目が高まっている。
いわゆる受動部品内蔵基板である。
Bluetoothにおいても、RF ICのフロントエンド部にはアンテナ、バンドパスフィルタ、バランといった機能部品やコンデンサ、インダクタといった受動素子が必要で、これら半導体化困難な受動部品の集積化手法としてLTCCは有望だ。
また、LTCCはシリコンとの熱膨張係数が近く、ベアチップ実装に向くことや熱伝導度が高いこと等から、半導体実装基板としても有望視される。
こうしたLTCCの特徴は、Bluetoothや携帯電話等のRF
フロントエンド部の“Module”化手法として採用が進行している。
Bluetoothでは、村田製作所・Philips・Lucent等がLTCCを用いたBluetooth
Moduleを製品化している。
今回Zeevoが発表した製品は、Module基板ではなくPackageにLTCCを採用しており、LTCC利用の新たなコンセプトと位置付けられる。
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