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Bluetooth Congress 2001
Grimaldi Forum,Monaco
5-8 JUNE 2001

■Ericsson CMOSトランシーバICを採用へ■ 
Ericsonnは、次世代のBluetooth内蔵携帯電話で、CMOSプロセスによるBluetoothトランシーバICを採用する模様だ。
CMOSプロセスの採用メリットは、低消費電力化・低コスト化・小型化の3点である。
ただ、同社携帯電話部門の合弁相手であるSONYとの調整などもあり、その製品化時期等は明らかにされていない。
本年第三四半期に発売が予定される同社二機種目のBluetooth搭載GSM端末“T39“では、従来のBi-CMOSによるトランシーバICが採用される。
Ericsson向けにCMOS Bluetooth ICを供給するのは、Ericsson Microelectronicsと見られる。
Ericsson グループのデバイス部門を担う同社では、今回のBluetooth Congress 2001を機に新世代のBluetooth チップセット及びモジュールを複数発表した。
この中に、CMOSプロセスを採用するRF Bluetooth モジュール“PBA3313 05”も含まれている。
Ericssonの担当者によれば、Ericsson Microelectronicsのモジュールを採用の方向にあるという。
このモジュールの主な仕様は以下の通り。

-プロセス
CMOS
-パワークラス
Class2
-パッケージ
BGA(LTCC)
10mm×10mm×1.6mm
-動作電圧
2.6V
-消費電流
受信時 40mA
送信時 35mA
-Reference clock
13MHz
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