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IMS 2005
Long Beach California
Jun １２-１７, 200５

RF 部のオールシリコン化を提案するST Microelectronics

IMS２００５初日、６月１２日のワークショップ"ADVANCED TECHNOLOGIES FOR NEXT GENERATIONRFICS”で、複数の企業から、携帯電話におけるRF部の集積化に関する発表が行われた。
要素技術としては、IPD（Integrated Passive Device）、MEMS Switch、BAW Filterである。
これら全てを用いた携帯電話RF部の集積化の方向性を示したのが、ST Microelectronics。
同社では、シリコン基板上へのIPD、MEMS Switch、FBARの試作例を個々に紹介した他、ＲＦ IC上にこれらのDeviceを形成、又は実装することでオールシリコンベースのS o C（System on Chip）、或いはSIP（System in Package）の可能性を示した。

ST Microelectronicsが試作したFBARを含めたWCDMAの受信回路