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IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM 2002
Seattle, WA ・ June 2-7, 2002

□半導体メーカーによるFront end Moduleの製品化が活発に□-1/4

1.フィリップス セミコンダクターズ社、アンテナスイッチ・PA一体のフロントエンドモジュールを展示
フィリップス等、数社の半導体メーカーが、携帯電話用Front end Moduleの製品化を明らかにした。
フィリップス セミコンダクター社は、アンテナスイッチとパワーアンプを一体化したGSM/GPRS Class12準拠のトリプルバンド用フロントエンドモジュール“BGY501-FEM”を展示した。
サイズは13mm×8mm（高さは不明）、HLLGA（Heat sink low-profile Land Grid Array）と呼ぶ樹脂多層基板に実装する。
パワーアンプ及びアンテナスイッチは、GaAs PHEMTプロセスを採用した。
受信時の挿入損失は0.8ｄBで、消費電力は最小で25μA。（送信時の特性は不明）
2002年末の量産化を予定する。
更に、同社ではSAW Filterを搭載した製品の開発も進めているという。
これまで、パワーアンプモジュールにはLTCCを採用してきた同社だが、「コストパフォーマンスの点で、樹脂基板の採用を決めた。」（ブース担当者）と説明するが、同時に展示されていたGSM/EDGEデュアルモード、トリプルバンド対応のパワーアンプモジュール“BGY283”では従来のパワーアンプモジュール同様にLTCCの採用を継続する。
また、W-CDMA用パワーアンプは樹脂基板を採用する。
これは、開発拠点が、「フロントエンドモジュールはフランス、GSM用パワーアンプモジュールはオランダ、W-CDMA用パワーアンプモジュールがアメリカ。」（ブース担当者）と、異なるためと見られる。

フィリップス セミコンダクタ-ズ社のフロントエンドモジュールとGSM/EDGE対応PAモジュール