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IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM 2004
Fortworth TX ・ June 6-11, 2004

フィリップスとフリースケール、スタック構造をもつRF Moduleの開発事例を発表

６月５日から米国テキサス州フォートワース（テキサス州）で開催されている「IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2004（IMS2004）」で、大手高周波半導体メーカー２社がスタック構造を持つRF Moduleの開発事例を発表した。
フィリップスは、BluetoothのRF IC上に、フィルタやバランなどの受動部品を薄膜形技術によって形成したシリコン基板をフリップチップ実装したスタック構造のBluetooth Moduleの開発を報告した。
このBluetooth Moduleのサイズは、5mm×5mm×0.85（h）である。

フィリップスの開発したスタック構造の
Bluetooth RF Module（右）

また、Freescale Semiconductorは、同社のデュアルバンドGSMトランシーバIC及びそのパッケージ(QFN7mm×7mm)を用い、トランシーバIC上にマッチング回路等の受動部品を薄膜形成したシリコン基板、高さ0.5mmと低いSAW Filterをそれぞれワイヤボンディングで接続したモジュールを発表した。
メモリを始めとしたデジタル系半導体におけるスタック構造を持つモジュールの製品化は一般的になってきているが、RFモジュールの分野においてはノイズエミッションやクロストーク、発熱等の問題が一層シビアになる為、これまでのところ実用化レベルに至っていない。

モトローラのGSM RF Module

これらの開発発表は、今後こうした技術を利用したモジュール化がRF分野でも進む可能性を指し示すものである。
ただ、何れの発表も、モジュールとしての特性評価については言及されておらず、その実用化にはしばらく時間を要しそうだ。